Thermal Analysis of a Bipolar Transistor
Application ID: 19701
This model demonstrates how to couple the Semiconductor interface to the Heat Transfer in Solids interface. A thermal analysis is performed on the existing bipolar transistor model in the case when the device is operated in the active-forward configuration.
The Semiconductor interface calculates the carrier dynamics and currents within the device and outputs a heating term due to electrical processes. This heating term is used as a heat source by the Heat Transfer in Solids interface to calculate the temperature distribution throughout the device.
The temperature distribution from the Heat Transfer in Solids interface is used to specify the lattice temperature in the Semiconductor interface, which alters the electrical properties and causes changes to the heating term, resulting in a fully coupled model.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.