GaAs-PIN-Photodiode

Application ID: 19705


Dieses einfache Modell zeigt, wie Sie die Interfaces Semiconductor Optoelectronics verwenden können, um eine einfache GaAs-PIN-Diodenstruktur zu modellieren. Sowohl die stimulierte als auch die spontane Emission im Halbleiter werden berücksichtigt. Die entsprechende Absorption des Lichts und die damit verbundene Änderung des komplexen Brechungsindexes werden auf selbstkonsistente Weise berücksichtigt.

Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden: