Double Barrier 1D
Application ID: 47041
The double barrier structure is of interest because of its application in semiconductor devices such as resonant-tunneling diodes.
This verification example demonstrates the Schrödinger Equation interface to set up a simple 1D GaAs/AlGaAs double barrier structure to analyze the quasibound states and their time evolution, the resonant tunneling phenomenon, and the transmission as a function of energy. The model results show very good agreement with analytical results, both for the computed eigenenergies for the quasibound states and the resonant tunneling condition, as well as the computed transmission coefficients.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.