光电局域场调控下窄禁带半导体光电特性模拟
Veröffentlicht in 2024
随着红外光电技术的发展，高响应性、超低暗电流和高响应速度已成为下一代红外光电探测器的重要因素。然而，为了获得高量子效率，吸收层的最小厚度被限制在大约一个或几个波长长度，这导致光生载流子的传输时间长。在这项工作中，我们提出了一种光子捕获结构，该结构利用金属的趋肤效应来产生横向传输模式，以增强红外光电探测器的吸收。本文讨论了InAs、InSb、InAs/GaSb 二类超晶格、InAs/InAsSb 二类超晶格和HgCdTe红外光电探测器光子捕获结构的光学性质。对光学性质的吸收和光电学性质的响应性进行了系统的数值研究。光学模拟表明，HgCdTe红外光电二极管在8.5 ~ 11µm处的吸收率超过80%，在9.73µm处的吸收率最大值为95%。光电模拟结果表明，在7 ~ 10µm处的响应率比没有光子捕获结构的普通HgCdTe红外光电二极管显著提高。
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- 微电子器件 - 葛浩楠 - 光电局域场调控下窄禁带半导体光电特性模拟.pptx - 14.71MB