Vacancy Electromigration in IC Interconnect Lines
Application ID: 113951
As integrated circuit (IC) technology advances, with circuits becoming more powerful and compact, it is increasingly important to identify and prevent any cause of circuit failure.
One particularly critical factor contributing to circuit failure is electromigration within the interconnects, stemming from the accumulation of vacancies within the metal.
Electromigration denotes the migration of vacancies within the metal, driven by electric fields, concentration, hydrostatic stress, and temperature gradients. This example illustrates how this highly coupled phenomenon can be modeled and analyzed in COMSOL Multiphysics.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
- COMSOL Multiphysics® und
- entweder MEMS Module, oder Structural Mechanics Module
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.