Thermal Analysis of a Czochralski Crystal Growth Furnace
Application ID: 124201
The Czochralski (CZ) method is one of the most important methods for the preparation of monocrystalline silicon. The shape of the crystal, especially the diameter, is controlled by carefully adjusting the heating power, the pulling rate, and the rotation rate of the crystal.
This model demonstrates the thermal analysis of such a crystal growth furnace. The system is heated using an electric heater and the surface-to-surface radiation is considered. The crucible and crystal rods are rotating in the opposite directions. The flow in the melt is neglected in the current model. The protective gas flow and the convective heat transfer is investigated to find out the right parameters to maintain the required temperature gradient at the crystal growth interface.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.