Spannungsoptische Effekte in einem photonischen Wellenleiter

Application ID: 190


Planare photonische Wellenleiter aus Siliziumdioxid (SiO2) haben ein großes Potenzial für den Einsatz in Anwendungen des Wavelength Routing. Das größte Problem bei dieser Art von Wellenleitern ist die Doppelbrechung. Anisotrope Brechungsindizes führen zu einer Aufspaltung der Grundmoden und einer Verbreiterung der Impulse. Ziel ist es, die Doppelbrechungseffekte durch Anpassung der Materialien und Herstellungsprozesse zu minimieren. Eine Quelle der Doppelbrechung ist die Verwendung eines Siliziumwafers (Si) als Substrat, auf das die Wellenleiterstruktur aufgebracht wird.

Nach dem Ausglühen bei hohen Temperaturen führt eine unterschiedliche Wärmeausdehnung zwischen den Siliziumdioxid- und Siliziumschichten bei der Betriebstemperatur (in der Regel der Raumtemperatur) zu thermisch induzierten Spannungen in der Struktur.

Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden: