Deposition of Al2O3 on the surface of a U-shaped structure using ALD method
Application ID: 139921
This model analyzed the ALD deposition process of alumina film on the surface of a U-shaped structure. In this process, gaseous precursors are sequentially introduced to the reaction chamber and sequentially undergo a series of adsorption and chemical reactions on the surface. The adsorption process is self-limiting by the active sites. In this model, the selected gaseous precursors are trimethylaluminum (TMA) and H2O, while the purge gas is nitrogen.
The fluid flow, mass transfer inside the ALD chamber as well as the chemical reactions on the U-shaped structure are considered in the model. Simulation results can be used to better understand the ALD deposition process and optimize the process parameters.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.