Ultrahigh Vacuum, Chemical Vapor Deposition
Application ID: 21711
Chemical vapor deposition (CVD) is a process often used in the semiconductor industry to grow layers of high-purity solid material on top of a wafer substrate. CVD is achieved using many different techniques and across a range of pressures from atmospheric to ultrahigh vacuum (UHV/CVD).
UHV/CVD is performed at pressures below 10-6 Pa (10-8 Torr), so gas transport is achieved by molecular flow and lacks any hydrodynamic effects such as boundary layers. In addition, there is also no gas-phase chemistry involved due to the low frequency of molecular collisions, so growth rate will be determined by the number density of species and surface molecular decomposition processes.
This model uses multiple species, free molecular flow to model the growth of silicon wafers. The effect from several pumping curves are explored.
Dieses Beispiel veranschaulicht Anwendungen diesen Typs, die mit den folgenden Produkten erstellt wurden:
Allerdings können zusätzliche Produkte erforderlich sein, um es vollständig zu definieren und zu modellieren. Weiterhin kann dieses Beispiel auch mit Komponenten aus den folgenden Produktkombinationen definiert und modelliert werden:
Die Kombination von COMSOL® Produkten, die für die Modellierung Ihrer Anwendung erforderlich ist, hängt von verschiedenen Faktoren ab und kann Randbedingungen, Materialeigenschaften, Physik-Interfaces und Bauteilbibliotheken umfassen. Bestimmte Funktionen können von mehreren Produkten gemeinsam genutzt werden. Um die richtige Produktkombination für Ihre Modellierungsanforderungen zu ermitteln, lesen Sie die Spezifikationstabelle und nutzen Sie eine kostenlose Evaluierungslizenz. Die COMSOL Vertriebs- und Support-Teams stehen Ihnen für alle Fragen zur Verfügung, die Sie diesbezüglich haben.